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mos晶体管的沟道长度影响 增加漏极-源极件电压会受到什么影响呢
MOS管夹断与沟道长度调制实践工作中，晶体管的沟道长度对特性式有一定的影响，这叫做沟道长度调制。1．MOS晶体管在非饱和区的行为下面以NMOS晶体管为例，讨论MOS晶体管处于导通状态时的沟道厚度。图1www.kiaic.com/article/detail/388.html 2017-08-16
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如何正确理解mos管衬底偏置效应
由于MOS晶体管M1的源极与基底都接地，所以不发作衬底偏置效应。而M2源极的电位VS比接地的基底的电位VB=0要高，这就意味着VSB>0。其结果，M2发作基底偏置效应，使M2的阈值电压比M1高。www.kiaic.com/article/detail/389.html 2017-08-16
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MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁噪声
MOS晶体管的噪声MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁噪声（1／f噪声）。沟道电阻产生的热噪声电子在电阻巾作随机运动，因此电阻的两端会产生噪声电压，这种噪声电压称为热噪声。MOS晶体管的沟道具有电阻成www.kiaic.com/article/detail/390.html 2017-08-16
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MOS晶体管放大电路的三个端子中有两个分别是输入端和输出端
为了放大模仿信号必需运用有源器件。MOS晶体管就是一种频繁运用的有源器件。MOS晶体管的三个端子中有两个分别是输入端和输出端。还有第三个端子，将这个端子固定为一定的电位就能够构成三种放大电路。就是说，源极、栅极、漏极中的某个极衔接到固定电位上，就可...www.kiaic.com/article/detail/386.html 2017-08-15
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以NMOS晶体管为例，阐明MOS的工作原理特征
先讨论将栅极与源极短路、接地（VGS=OV）时的状况。如图1.9所示的MOS晶体管。这种状态下，虽然漏极上加电压VDS，但是在漏极—源极间简直没有电流流过。为什么？如图1.10所示，这是由于此时的漏极与源极间能够等效为两个pn结二极管反向连接。www.kiaic.com/article/detail/385.html 2017-08-15
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体二极管的技术参数VSD、IS、trr、Qrr、ISM、IRRM
早期的功率MOSFET常常会由于漏-源极的电流或者电压的变化速率太快而失控，或者形成漏-源极的击穿损坏。而在大功率的高速开关电路中，纯阻性负载是很少见的，即便外部负载是纯阻性的，电路的散布参数、VMOS本身的散布参数在VMOS高速开关期间，也会有时间很短但是...www.kiaic.com/article/detail/382.html 2017-08-14
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cmos电路和cmos器件的特点以及优化分析
CMOS器件具有宏大市场的最大理由就是功率耗费低。正如将CMOS反相器电路（图10.4）置换为等效电路（图10.5）时所看到的那样，不管输入的信号是“L”电平还是“H”电平，p沟MOS晶体管和n沟MOS晶体管中总有一个OFF，处于切断／高阻抗状态。就是说，在稳定状态下，...www.kiaic.com/article/detail/379.html 2017-08-11
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新生军训要准备什么东西，请给一个最大全详细
非常有用：军训小经验，军训必备，大概的军训情况表让你轻松度。1、一般来说大学军训都会发一套迷彩服，包括帽子鞋肩章什么的都有，但是有的学校不会给军用的短袖，发短袖的话，如果不每天都检查就千万不要穿，不知道那是什么布料，一点不吸汗还越出汗越热。在...www.kiaic.com/article/detail/375.html 2017-08-09
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半导体MOSFET和MESFET有什么区别，基本原理是什么？
MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构（图1.24）。就PN结的特性而言，与肖特基二极管并无本质上的区别。众所周知，肖特基势垒的基本结构就是“Metal-Semiconductor”（金属-半导体）...www.kiaic.com/article/detail/347.html 2017-07-27
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MOS管是什么？什么是VDMOS(VMOS) 、UMOS (UDMOS、UVDMOS)
采用DMOS工艺的VMOS最初称为VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直沟道，双扩散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽栅垂直沟道双扩散MOSFET)。这是直到目前仍然是绝对主流的功率MOSFET品种。因此在国内，如果没有特别说明...www.kiaic.com/article/detail/346.html 2017-07-27
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运用TrL和CMOS集成门电路有什么留意事项？
①多余的输入端不能悬空，以免形成干扰，—般要依据逻辑功用的不同接电源或接地。 ②电源电压大小必需契合请求，极性必需正确，否则会损坏集成电路。 ③输出端不能直接接电源或直接接地，需经外接电阻后再接电源。
www.kiaic.com/article/detail/310.html 2017-07-11
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场效应管｜薄膜晶体管(TFT)：
场效应管｜薄膜晶体管(TFT)：?
www.kiaic.com/article/detail/280.html 2017-06-26
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强场效应管｜场效应管
强场效应管｜场效应管
www.kiaic.com/article/detail/266.html 2017-06-20
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线性调整器
线性调整器的主要缺陷是串接晶体管存在过大功耗 。一切的负载电流都必需经过串接 晶体管，其功耗为 C V卢c -Vo ） 。大多数状况下 ，串接 NPN型晶体管的最小压差（c-V.）为2.5V。因而，若直流输入电压由工频变压器次级整流取得，则次级臣数选择应保证交流网压最...www.kiaic.com/article/detail/204.html 2017-05-15